■電気・電子工学専攻 業績一覧 2013年
〔査読付学術原著論文〕 26件
題      目 著  者 掲載誌,巻,号,頁(発表年月)
A Bregman Extension of quasi-Newton updates I: An Information Geometrical framework Takafumi Kanamori, A.Ohara Optimization Methods and Software, 28, 1, 96-123 (2013)
Information Geometry and Interior-Point Algorithms in Semidefinite Programs and Symmetric Cone Programs Satoshi Kakihara, A.Ohara, Takashi Tsuchiya Journal of Optimization Theory and Applications, 157, 3, 749-780 (2013)
A Bregman Extension of quasi-Newton updates II: Analysis of Robustness Properties Takafumi Kanamori, A.Ohara Journal of Computational and Applied Mathematics, 253, 1, 104-122 (2013)
Group Invariance of Information Geometry on q-Gaussian Distributions Induced by Beta-Divergence A.Ohara, Shinto Eguchi Entropy, 15, 4732-4747 (2013)
Electrical Characteristics of Surface-Stoichiometry-Controlled p-GaN Schottky Contacts Kenji Shiojima, Toshifumi Takahashi, Naoki Kaneda, Tomoyoshi Mishima, Takashi Kajiwara, Satoru Tanaka Japanese Journal of Applied Physics, 52, 01AF05-1 -6 (2013.01)
MOVPE Growth of InxGa1-xN (x〜0.4) and Fabrication of Homo-junction Solar Cells Md. Rafiqul Islam, Md. Rejvi Kaysir, Md. Jahirul Islam, A. Hashimoto, A. Yamamoto J. Mater. Sci. Technol., 29, 2, 128-136 (2013.02)
Single-emitter laser-diode-pumped cavity-dumped ytterbium-doped Y3Al5O12 laser H.Hitotsuya, M.Takama, M.Inoue, S.Matsubara, Y.Sasatani, N.Shimojo, S.Kawato International Journal of Latest Research in Science and Technology, 2, 1, 442-446 (2013.02)
Cavity-dumped mode-locked ytterbium-doped Y3Al5O12 laser H.Hitotsuya, M.Takama, M.Inoue, S.Matsubara, Y.Sasatani, N.Shimojo, S.Kawato International Journal of Latest Research in Science and Technology, 2, 1, 434-436 (2013.02)
High efficiency laser-diode-pumped cavity-dumped ytterbium-doped Y3Al5O12 laser H.Hitotsuya, N.Shimojo, S.Matsubara, M.Inoue, S.Kawato International Journal of Latest Research in Science and Technology, 2, 1, 450-453 (2013.02)
Restraint Method of Voltage Total Harmonic Distortion in Distribution Network by Power Conditioner Systems Using Measured Data from IT Switches Shoji Kawasaki, Kazuki Shimoda, Motohiro Tanaka, Hisao Taoka, Junya Matsuki, Yasuhiro Hayashi Electrical Engineering in Japan,182, 3, 19-29 (2013.03)
MOVPE growth of InxGa1-xN (x〜0.5) on Si(111) substrates with a pn junction on the surface A. Yamamoto, A. Mihara, D. Hironaga, K. Sugita, A. G. Bhuiyan, A. Hashimoto, N. Shigekawa, N. Watanabe Physica Status Solidi C, 10, 3, 437-440 (2013.03)
Metal-organic vapor-phase epitaxial growth of InGaN and InAlN for multi-junction tandem solar cells A. Yamamoto, K. Sugita, A. G. Bhuiyan, A. Hashimoto, N. Narita Materials for Renewable and Sustainable Energy, 2, 2,  (2013.04)
A Picosecond thin-rod Yb:YAG regenerative laser amplifier with the high average power of 20 W Shinichi Matsubara, Motoharu TANAKA, Masaki TAKAMA, Hiroyuki Hitotsuya, Taka Kobayashi, Sakae Kawato Laser Physicls Letters, 10, 055810 (2013.04)
Evaluation of the Initial Stage of Formation of Ti/Al Ohmic Contacts Using Photoresponse Method Kenji Shiojima, Hideo Yokohama, Gako Araki Japanese Journal of Applied Physics, 52, 8, 08JN06-1 -4 (2013.05)
A Comparative Study on Metalorganic Vapor Phase Epitaxial InGaN with Intermediate In Composition Grown on GaN/Sapphire and AlN/Si(111) Substrates A. Yamamoto, A. Mihara, Y.D. Zheng, N. Shigekawa Japanese Journal of Applied Physics, 52, 08JB19 (2013.06)
Effect of Inductively Coupled Plasma Etching in p-Type GaN Schottky Contacts Kenji Shiojima, Takafumi Takahashi, Naoki Kaneda, Tomoyuki Mishima, Kazuki Nomoto Japanese Journal of Applied Physics, 52, 8, 08JJ08-1 -4 (2013.06)
Solving the Crossbar Switching Problem Using n-state Ant Colony Algorithm L.Q. Zhao, R.L.Wang IEEJ Trans. EIS, 133, 6, 1242-1250 (2013.06)
Marked suppression of In incorporation in heavily Si-doped InxGa1-xN (x~0.3) grown on GaN/a-Al2O3(0001) template A. Yamamoto, A. Mihara, N. Shigekawa, N. Narita Applied Physics Letters, 103, 082113 (2013.07)
A model for calculating impact ionization transition rate in wurtzite GaN for use in breakdown voltage simulation K. Kodama, H. Tokuda, M. Kuzuhara J. Appl. Phys., 114, 044509 (2013.07)
段数を削減したPRESENTを用いた倍ブロック長圧縮関数に対する衝突攻撃 小林哲也, 廣瀬 勝一 電子情報通信学会論文誌A, J96-A, 8, 541-550 (2013.08)
Analysis of InxGa1−xN/Si p-n heterojunction solar cells and the effects of spontaneous and piezoelectric polarization charges Y.D. Zheng, A. Mihara, A. Yamamoto Applied Physics Letters, 103, 153509 (2013.09)
High-Temperature Isothermal Capacitance Transient Spectroscopy Study on Inductively Coupled Plasma Etching Damage for p-GaN Surfaces Toshichika Aoki, Hisashi Wakayama, Naoki Kaneda, Tomoyuki Mishima, Kazuki Nomoto, Kenji Shiojima Japanese Journal of Applied Physics, 52, 11, 11NH03-1 -4 (2013.11)
Current collapse suppression by gate field plate in AlGaN/GaN HEMTs Md. T. Hasan, T. Asano, H. Tokuda, M. Kuzuhara IEEE Electron Device Lett., 34, 1379 (2013.11)
Comparison of 2DEG density and mobility increase by annealing AlGaN/ GaN heterostructures deposited with Ti/Al, Ti/Au, V/Au, and Ni/Au T. Kojima, H. Tokuda, M. Kuzuhara Phys. Stat. Sol., 10, 11, 1405-1408 (2013.11)
Multilane Hashing Mode Suitable for Parallel Processing Hidenori Kuwakado, Shoichi Hirose IEICE Transactions on Fundamentals, E96-A, 12, 2434-2442 (2013.12)
Dislocation reduction in heteroepitaxial InxGa1-xN using step-graded interlayer for future solar cells Md. Arafat Hossain, Md. Rafiqul Islam, M. K. Hossain, A. Hashimoto, A. Yamamoto Materials for Renewable and Sustainable Energy, 2, 20, 1-14 (2013.12)
〔査読付国際会議論文(アブストラクト審査含む)〕 16件
題      目 著  者 掲載誌,巻,号,頁(発表年月)
Geometry on Positive Definite Matrices Induced from V-Potential Function A.Ohara, Shinto Eguchi Geometric Science of Information (Frank Nielsen and Frederic Barbaresco eds.) Springer Lecture Notes in Computer Science, 8085, 621-629 (2013)
Information Geometry and Interior Point Algorithms Satoshi Kakihara, A.Ohara, Takashi Tsuchiya Geometric Science of Information (Frank Nielsen and Frederic Barbaresco eds.) Springer Lecture Notes in Computer Science, 8085, 777-784 (2013)
MOVPE-grown n-InxGa1-xN (x~0.5)/p-Si(111) template as a novel substrate A. Yamamoto, A. Mihara, K. Sugita, V. Yu. Davydov, N. Shigekawa Procedings of SPIE "Light-Emitting Diodes: Materials, Devices, and Applications for Solid State Lighting XVII", 8641, 86410N-1 - 86410N-9 (2013.05)
High efficiency Multi-mode laser-diode-pumped cavity-dumped Ytterbium-doped Yttrium Alminium Garnet laser Naoya Shimojo, Shinichi Matsubara, Masahiro Inoue, Daisuke Kimura, Yoshinobu Sasatani, Akiyuki Maruko, Daichi Mizuno, Masatoshi Nishio, Sakae Kawato The European Conference on Lasers and Electro-Optics and the International Quantum Electronics Conference (CLEO®/Europe-IQEC),  (2013.05)
Multimode Laser-Diode Pumped Continuous-Wave Stoichiometric Yb3Al5O12 Laser Daisuke Kimura, Shinichi Matsubara, Kazuki Otani, Tsutomu Ueda, Masahiro Inoue, Naoya Shimojo, Yoshinobu Sasatani, Akiyuki Maruko, Daichi Mizuno, Masatoshi Nishio, Sakae Kawato The European Conference on Lasers and Electro-Optics and the International Quantum Electronics Conference (CLEO®/Europe-IQEC),  (2013.05)
Accuracy Verification of Forecasting Electric Power Generation of PV by GA using Correlation Coefficients Shoji Kawasaki, Hisao Taoka, Taiki Nagao, Keisuke Oonaka Proc. of the International Conference on Electrical Engineering 2013, PS5-01,  (2013.07)
Improvement Plan of Influence on Distribution Systems by Introduction of Photovoltaic and Electric Vehicle Shoji Kawasaki, Yuna Nakashima, Hisao Taoka Proc. of the International Conference on Electrical Engineering 2013, PS5-11,  (2013.07)
Modeling of Consumer Load by Utilizing Measurement Data for Power Quality Control Kosuke Matsuura, Hisao Taoka, Shoji Kawasaki, Toshihisa Funabashi Proc. of the International Conference on Electrical Engineering 2013, PS5-22,  (2013.07)
Examination for Experimental Verification of Improvement of Power Quality in Distribution System by PCS Shoji Kawasaki, Naohiro Terada, Hisao Taoka Proc. of the International Conference on Electrical Engineering 2013, PS5-33,  (2013.07)
Redactable Signature Scheme for Tree-Structured Data Based on Merkle Tree Shoichi Hirose, Hidenori Kuwakado Proceedings of the 10th International Conference on Security and Cryptography (SECRYPT 2013), 313-320 (2013.09)
Steady-state analysis using Haar wavelet transform in power electronics circuits including nonlinear elements M.Mochizuki, S.Moro Proc. of International Symposium on Nonlinear Theory and its Applications (NOLTA2013), 483-486 (2013.09)
Digital Grid as an Asynchronous Interconnection System under Penetration of Renewable Energy Hisao Taoka, Rikiya Abe, Ryosuke Torii, Kohei Hayashi Proc. of AORC-CIGRE Technical Meeting 2013,  (2013.09)
Continuous-wave Yb3Al5O12 laser pumped by a single-mode laser-diode Naoya Shimojo, Yutaka Kondo, Daisuke Kimura, Masahiro Inoue, Shinichi Matsubara, Akiyuki Maruko, Daichi Mizuno, Masatoshi Nishio, Sakae Kawato Advanced Solid-State Lasers,  (2013.10)
Stability Problem of RES in the Country Area Hiroki Aoki, Hisao Taoka, Junya Matsuki CIGRE SC C6 Colloquium 2013 in Yokohama, S1-3,  (2013.10)
Effects of MOVPE InGaN growth conditions on the solar cell properties of p-on-n structure Si substrate A. Yamamoto, A. Mihara, N. Narita, N. Shigekawa Technical Digests of the 23rd International Photovoltaic Science and Engineering Conference,  (2013.11)
Hashing Mode Using a Lightweight Blockcipher Hidenori Kuwakado, Shoichi Hirose The 14th IMA International Conference on Cryptography and Coding, (IMACC 2013), Lecture Notes in Computer Science 8308, 213-231 (2013.12)
〔講 演〕 94件
題      目 発 表 者 講演会予稿集,発表番号,頁(発表年月)
High-temperature ICTS study on ICP etching damages for p-GaN surfaces 青木 俊周, 若山尚司, 金田直樹, 三島友義, 野本一貴, 塩島 謙次 5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (IsPlasma2013), P3076B, 愛知県名古屋市,  (2013.01)
Characterization of electron traps in MOCVD p-GaN by minority carrier transient spectroscopy Unhi Honda, Toshiya Matsuura, Hidenari Naito, Yutaka Tokuda, Kenji Shiojima 5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (IsPlasma2013), P3065B, 愛知県名古屋市,  (2013.01)
紫外・真空紫外分光エリプソメトリーの開発 中村康寛, 尾崎恭介, 福井 一俊, 齋藤輝文, 堀米利夫 第26回日本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム, 12P016, 名古屋市,  (2013.01)
Detail analysis of electrical characteristics of metal/low-Mg-doped p-GaN interfaces 塩島 謙次 6th International WorkShop on
New Group IV
Semiconductor Nanoelectronics 
and 
JSPS Core-to-Core Program 
Joint Seminar
"Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration, D4, 仙台市,  (2013.02)
Initial stage of ohmic formation for Ti/Al contacts on GaN and AlGaN/GaN 塩島 謙次, 横浜 秀雄, 荒木 6th International WorkShop on
New Group IV
Semiconductor Nanoelectronics 
and 
JSPS Core-to-Core Program 
Joint Seminar
"Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration, Poster 21, 仙台市,  (2013.02)
MOVPE-grown n-InxGa1-xN (x∼0.5)/p-Si(111) template as a novel substrate A. Yamamoto, A. Mihara, K. Sugita, V. Yu. Davydov, N. Shigekawa Photonics West 2013, Paper Number 8641-22, San Francisco, USA,  (2013.02)
低Mgドープp-GaNショットキー接触の交流動作 青木俊周, 金田直樹, 三島友義, 塩島 謙次 応用物理学会春期学術講演会, 28a-G11-9, 厚木市,  (2013.03)
GaN基板上低キャリア厚膜n-GaNショットキー接触の評価 塩島 謙次, 木原 雄平, 青木俊周, 金田直樹, 三島友義 応用物理学会春期学術講演会, 28a-G11-6, 厚木市,  (2013.03)
GaN系材料表面・界面評価の進展 -基礎物性から出発するデバイス性能向上へのアプローチ- 塩島 謙次, 中村成志 応用物理学会春期学術講演会, 27p-G4-1, 厚木市,  (2013.03)
低Mgドープp形GaNショットキー接触の評価 塩島 謙次 応用物理学会春期学術講演会, 27p-G4-5, 厚木市,  (2013.03)
M O C V D 法によるエチル系有機材料を用いた 炭素ドープI n G a A s 層の成長 横濱 秀雄, 塩島 謙次, 荒木 賀行 応用物理学会春期学術講演会, 29p-G20-7, 厚木市,  (2013.03)
窒化炭素薄膜の発光特性におけるレーザー照射時間依存性 佐竹聖樹, 寺元統人, 澤畠淳二, 伊藤國雄, 亀友健太, 財部健一, 福井 一俊, 山本伸一 第60回応用物理学会春季学術講演会, 28p-PB3-11, 厚木市,  (2013.03)
MOVPE成長InxGa1-xN (x~0.3)膜のSiドーピング効果 三原 章宏, 鄭 仰東, 重川 直輝, 山本 あき勇 第60 回応用物理学会春季学術講演会, 28p-PA1-7, 神奈川県厚木市,  (2013.03)
STATCOMの容量低減化を考慮した系統電圧制御機器の協調制御手法 黒川 尚大, 川ア 章司, 田岡 久雄, 中嶋 祐也 電力技術/電力系統技術/半導体電力変換合同研究会, PE-13-012, PSE-13-028, SPC-13-048,  (2013.03)
単独運転検出機能と強調したFRT制御手法とPVシステム多数連系時の相互干渉 宮崎 貴弘, 吉村 和晃, 田岡 久雄, 川ア 章司 電力技術/電力系統技術/半導体電力変換合同研究会, PE-13-022, PSE-13-037, SPC-13-057,  (2013.03)
新しい電力システムとしてのデジタルグリッドの構想(8)−デジタルグリッドルーターにおける電力制御方式− 鳥居 亮介, 米田 琢真, 田岡 久雄, 川ア 章司, 阿部 力也 平成25年電気学会全国大会, 6-062, 名古屋市,  (2013.03)
エコ施設における運用パターン別電力供給制御手法 青木 洸樹, 久保 範幸, 田岡 久雄, 川ア 章司, 本堂 義記, 松木 純也 平成25年電気学会全国大会, 6-009, 名古屋市,  (2013.03)
遺伝的アルゴリズムを用いた日射量予測に関する研究 長尾 泰気, 大中 奎佑, 川ア 章司, 田岡 久雄 平成25年電気学会全国大会, 6-135,  (2013.03)
配電系統の電力品質改善を目的としたPCS 開発に向けた検討 寺田 直弘, 川ア 章司, 田岡 久雄 平成25年電気学会全国大会, 6-139,  (2013.03)
単独運転検出機能と協調したPV 用PCS のFRT 制御手法の検証 宮ア 貴弘, 吉村 和晃, 田岡 久雄, 川ア 章司 平成25年電気学会全国大会, 6-141,  (2013.03)
分散型電源のための同期化力インバータの系統連系 梅村 良, 杉山 浩則, 田岡 久雄, 川ア 章司 平成25年電気学会全国大会, 6-291,  (2013.03)
スマートグリッドにおける配電系統の高調波抑制に関する研究 松浦 晃祐, 林 航平, 田岡 久雄, 川ア 章司, 舟橋 俊久 平成25年電気学会全国大会, 6-142,  (2013.03)
太陽光発電,電気自動車の導入が配電系統に及ぼす影響の基礎検討 中嶋 祐也, 川ア 章司, 田岡 久雄 平成25年電気学会全国大会, 6-144,  (2013.03)
分散型電源の動的解析モデルの検証 尾谷 恵介, 田岡 久雄, 川ア 章司 平成25年電気学会全国大会, 6-147,  (2013.03)
新しい電力・エネルギーシステムの要素技術とシステム化:要素技術のシステム化と課題 田岡 久雄 平成25年電気学会全国大会, 6-S8-7,  (2013.03)
電気を安定に送り届けるために!−システムとしての電力ネットワークの役割− 田岡 久雄 電気学会主催公開シンポジウム「大切な電気エネルギーのインフラ構築に向けて」, 講演2,  (2013.04)
MOCVD growth of carbon-doped InGaAs layers using ethyl-base organic materials 横浜 秀雄, 塩島 謙次, 荒木 賀行 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials 2013, Oral TuD1-5, 神戸市,  (2013.05)
High Efficiency Cavity-Dumped Mode-Locked Yb:YAG Laser 川戸 栄 レーザー研シンポジウム2013, 大阪,  (2013.05)
VUV Ellipsometer Using Inclined Detector as Analyzer to Measure Stokes Parameters and Optical Constants - With Results for AlN Optical Constants T.Saito, K.Ozaki, K.Fukui, H.Iwai, Kohji.Yamamoto, H.Miyake, K.Hiramatsu 6th International Conference on Spectroscopic Ellipsometry (ICSE-VI), 1-04, 京都市,  (2013.05)
Ultrafast magneto-optical control of magnetization in EuO Thin Films 牧野 哲征 The 2nd International Congress on Advanced Materials (AM2013), Zhenjiang, China,  (2013.05)
Ultrafast magnetooptical spectroscopy in EuO thin films 牧野 哲征 Advances in the characterization of functional materials under relevant process conditions of the E-MRS 2013 Spring, Strassbourg (France),  (2013.05)
Remarkable increase in 2DEG density by annealing AlGaN/GaN heterostructures deposited with Ti/Al T. Kojima, H. Tokuda, M. Kuzuhara ISCS, Kobe, Japan,  (2013.05)
Effect of field plate on dynamic ON-resistance in AlGaN/GaN HEMTs Md. T. Hasan, T. Asano, H. Tokuda, M. Kuzuhara 40th Intl. Symposium on Compound Semiconductors, Kobe, Japan,  (2013.05)
Effect of sputtered SiN passivation on current collapse of AlGaN/GaN HEMTs Md. T. Hasan, T. Kojima, H. Tokuda, M. Kuzuhara CS-MANTECH, 6A.2, New Orleans, USA, 131-134 (2013.05)
AC Operation of Low-Mg-Doped p-GaN Schottky Diodes 青木 俊周, 金田直樹, 三島友義, 塩島 謙次 6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-IV), B4-3, 福岡市,  (2013.06)
High-Temperature ICTS Study on SiN Deposition Damages for Low-Mg-Doped p-GaN Schottky Diodes 塩島 謙次, 若山尚司, 青木 俊周, 金田直樹, 野本一貴, 三島友義 6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-IV), P2-48, 福岡市,  (2013.06)
Systematic Study on Defect Formation and HEMT Operation of Low-Carbon Doped GaN Layers Takeshi Tanaka, Yohei Otoki, Kenji Shiojima, Yutaka Tokuda 6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-IV), P2-22, 福岡市,  (2013.06)
V/Al-based ohmic contact formation to n-GaN using low temperature annealing K. Tone, H. Tokuda, M. Kuzuhara IEEE IMFEDK, PB-03, 大阪、吹田市, 50-51 (2013.06)
Formation of low ohmic contacts to AlGaN/GaN heterostructures using Ti/Al-based metal stacks R. Maeta, H. Tokuda, M. Kuzuhara IEEE IMFEDK, PB-06, 大阪、吹田市, 54 (2013.06)
Electrical characterization of AlGaN/ GaN HEMTs fabricated on CF4- plasma-treated AlGaN surface Y. Sakaida, H. Tokuda, M. Kuzuhara IMFEDK, PB-07, 大阪、吹田市, 58-59 (2013.06)
Electrical characterization of lateral tunnel junctions fabricated on AlGaN/ GaN heterostructures Y. Kobayashi, Y. Saito, H. Tokuda, M. Kuzuhara IMFEDK, PB-10, 大阪、吹田市, 64-65 (2013.06)
High-voltage AlGaN/GaN HEMTs fabricated on free-standing GaN substrates K. Akira, T. Asano, H. Tokuda, M. Kuzuhara IMFEDK, PB-12, 大阪、吹田市, 68-69 (2013.06)
Improved dependence of gate-to-drain distance on electron velocity in AlGaN/ GaN HEMTs K. Kodama, H. Tokuda, M. Kuzuhara Intl. Workshop on Computational Electronics, Nara, Japan,  (2013.06)
AC Operation of Low-Mg-Doped p-GaN Schottky Diodes 青木 俊周, 金田直樹, 三島友義, 塩島 謙次 第32回電子材料シンポジウム, Th1-5, 守山市,  (2013.07)
A Collision Attack on a Double-Block-Length Compression Function Instantiated with Round-Reduced AES-256 陳 嘉耕, 廣瀬 勝一, 桑門 秀典, 宮地 充子 電子情報通信学会情報セキュリティ研究会,  (2013.07)
Observations of Weak Hydrogen Bonds C−H•••O as Intermolecular Vibration Modes in Solutions by Terahertz Time-Domain Spectroscopy K. Mizuno, T. Kikuchi, K. Murakami, Y. Aoike, K. Fukui, K. Yamamoto, M. Tani 33rd International Conference on Solution Chemistry, 1JO03, 京都,  (2013.07)
Recent progress in GaN-based electronic devices M. Kuzuhara, H. Tokuda Tsukuba Nanotechnology Symposium 2013, Tsukuba, Japan,  (2013.07)
Evaluation of low-carrier thick n-GaN Schottky diodes on GaN free-standing substrates 塩島 謙次, 木原 雄平, 青木 俊周, 金田直樹, 三島友義 10th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-10), D3.08, Washington DC (USA),  (2013.08)
Displacement current in current-voltage characteristics of metal/low-Mg-doped p-GaN interfaces 塩島 謙次, 青木 俊周, 金田直樹, 三島友義 10th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-10), BP2.23, Washington DC (USA),  (2013.08)
分散型電源モデルの系統安定度解析結果に与える影響の検討 谷川 知也, 金尾 則一, 田岡 久雄 平成25年電気学会電力・エネルギー部門大会, 146, 新潟市,  (2013.08)
三端子デジタルグリッドルーターによる電力融通の解析 鳥居 亮介, 林 航平, 田岡 久雄, 阿部 力也  平成25年電気学会電力・エネルギー部門大会, 214, 新潟市,  (2013.08)
再生可能エネルギーを導入したエコ施設における電力供給制御手法 久保 範幸, 青木 洸樹, 田岡 久雄, 本堂 義記, 松木 純也 平成25年電気学会電力・エネルギー部門大会, P44, 新潟市,  (2013.08)
需要家の計測情報を活用した電力品質制御のための需要家負荷モデルの構築 松浦 晃祐, 田岡 久雄, 川ア 章司, 舟橋 俊久 平成25年電気学会電力・エネルギー部門大会, P54, 新潟市,  (2013.08)
Reduction of In incorporation by Si-doping in MOVPE-grown InxGa1-xN (x~0.3) A. Mihara, N. Shigekawa, A. Yamamoto 10th InternationalConference on Nitride Semiconductors, Washington DC (USA),  (2013.08)
Observation of laser-induced magnetization precession in ferromagnetic EuO 牧野 哲征 IMS workshop on Advanced Spectroscopy of Correlated Materials (ASCM 13), 岡崎市,  (2013.08)
高抵抗GaNのトラップ評価 徳田豊, 田中丈士, 塩島 謙次, 乙木洋平 応用物理学会秋季学術講演会, 19a-P7-1, 京田辺市,  (2013.09)
界面顕微光応答法によるn-GaNショットキー接触の2次元評価 山本晋吾, 青木俊周, 金田直樹, 三島友義, 塩島 謙次 応用物理学会秋季学術講演会, 19a-P7-3, 京田辺市,  (2013.09)
a面低Mgドープp-GaNショットキー接触の評価 青木俊周, Ji-Su Son, 天野浩, 塩島 謙次 応用物理学会秋季学術講演会, 19a-P7-4, 京田辺市,  (2013.09)
GaN基板上低キャリア厚膜n-GaNショットキー接触の評価(2) 木原雄平, 塩島 謙次, 青木俊周, 金田直樹, 三島友義 応用物理学会秋季学術講演会, 20a-D7-8, 京田辺市,  (2013.09)
p形GaNショットキー接触における水素プラズマ処理の影響 青木俊周, 吉田智洋, 末光哲也, 金田直樹, 三島友義, 塩島 謙次 応用物理学会秋季学術講演会, 20a-D7-7, 京田辺市,  (2013.09)
GAによる日射量予測技術における精度検証と向上手法の検討 長尾 泰気, 大中 奎佑, 田岡 久雄, 川ア 章司 電気学会電力技術/電力系統技術合同研究会, PE-13-037, PSE-13-053, 北九州市,  (2013.09)
電力系統解析の歩みと今後の展望 田岡 久雄 平成25年度電気関係学会北陸支部連合大会, A3-I,  (2013.09)
分散型電源のモデル化の違いが系統安定度に与える影響の検討 大中 奎佑, 木村 涼, 田岡 久雄, 谷川 知也 平成25年度電気関係学会北陸支部連合大会, A2-15,  (2013.09)
分散型電源のための同期化力インバータの制御方法の提案 杉山 浩則, 河合 正樹, 田岡 久雄 平成25年度電気関係学会北陸支部連合大会, A2-16,  (2013.09)
DGRを用いた非同期連系の実験・検討 鳥居 亮介, 林 航平, 加藤 良亮, 田岡 久雄, 本堂 義記 平成25年度電気関係学会北陸支部連合大会, A2-17,  (2013.09)
低炭素型公共施設における制御手法の検討 久保 範幸, 青木 洸樹, 秋山 直輝, 田岡 久雄, 本堂 義記, 松木 純也, 前川 友哉, 赤木 泰章 平成25年度電気関係学会北陸支部連合大会, A2-8,  (2013.09)
デジタルグリッドルーターが配電系統に導入された場合のシミュレーション評価 シティ ナジラ, 松浦 晃祐, 田岡 久雄 平成25年度電気関係学会北陸支部連合大会, A2-9,  (2013.09)
白色発光に向けた窒化炭素薄膜のRF電力変化による発光特性 佐竹聖樹, 大川貴史, 寺本統人, 伊藤國雄, 亀友健太, 財部健一, 福井 一俊, 山本伸一 第74回応用物理学会秋季学術講演会, 17a-P15-4, 京田辺市,  (2013.09)
高濃度ボロンドープダイヤモンド薄膜のCEES測定 近藤駿介, 福井 一俊, 山本 晃司, 犬島 喬 第74回応用物理学会秋季学術講演会, 18p-D1-8,  (2013.09)
InGaNのMOVPE成長におけるSi dopingによるIn取込量の抑制 三原 章宏, 重川 直輝, 山本 あき勇 第74回応用物理学会秋季学術講演会,  (2013.09)
InxGa1-xN (x~0.3)膜のMOVPE成長に伴う下地p-on-n Si太陽電池の特性変化 三原 章宏, 重川 直輝, 山本 あき勇 第74回応用物理学会秋季学術講演会, 京都,  (2013.09)
テーパー構造結合平行平板導波路のテラヘルツ応答の対称性 山本晃司, 福井一俊, 谷 正彦, 栗原一嘉, 纉史欣, 岩崎宏紀, 辻新生, 岩村信平 2013年秋季第74回応用物理学会学術講演会, 18p-A14-9, 京都,  (2013.09)
金属テーパー構造結合平行平板導波路におけるテラヘルツ波伝搬の平行平板長依存性 岩崎宏紀, 岩村信平, 辻新生, 山本晃司, 栗原一嘉, 桑島史欣, 福井一俊, 谷 正彦 日本赤外線学会第23回研究発表会, P7, 神奈川,  (2013.09)
Improved high-temperature characteristics of AlGaN/GaN MIS HEMTs with ZrO2/Al2O3 dual dielectric films M. Hatano, Y. Yaniguchi, H. Tokuda, M. Kuzuhara Intl. Conf. on Solid State Devices and Materials, J-2-3, Fukuoka, Japan, 922-923 (2013.09)
Comparative study on ohmic contact resistance of alloyed Ti-Al based metal stacks deposited on AlGaN/GaN heterostructures R. Maeta, H. Tokuda, M. Kuzuhara 10th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics, 9-7, Hakodate, Japan, 113-114 (2013.09)
Current collapse measurements for AlGaN/GaN HEMTs fabricated on free-standing GaN substrates K. Akira, H. Tokuda, M. Kuzuhara 10th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics, 9-9, Hakodate, Japan, 117-118 (2013.09)
Effects of MOVPE InGaN growth conditions on the solar cell properties of p-on-n structure Si substrate A. Yamamoto, A. Mihara, N. Narita, N. Shigekawa 23rd International Photovoltaic Science and Engineering Conference, Taipei (Taiwan),  (2013.10)
低Mgドープp-GaNショットキー接触のAC動作 塩島 謙次, 青木俊周, 金田直樹, 三島友義 電子情報通信学会研究会, ED2013-72, 茨木市,  (2013.11)
GaN自立基板上低キャリア厚膜n-GaNショットキー接触の評価 塩島 謙次, 木原雄平, 青木俊周, 金田直樹, 三島友義 電子情報通信学会研究会, ED2013-71, 茨木市,  (2013.11)
Metal work function dependence of Schottky barrier height by internal photoemission measurements of low-Mg-doped p-GaN Schottky contacts Toshichika Aoki, Kenji Shiojima 2013 MRS (Material Research Society) fall meeting, T6-14, Boston, MA, USA,  (2013.12)
Characterization of traps in high-resistivity MOCVD GaN doped with carbon Yutaka Tokuda, Takeshi Tanaka, Kenji Shiojima, Yohei Otoki 2013 MRS (Material Research Society) fall meeting, T6-02, Boston, MA, USA,  (2013.12)
アモルファス窒化炭素の発光及び励起スペクトル 伊藤大輝, 福井 一俊, 山本 晃司, 亀友健太, 財部健一, 中村重之, 佐竹聖樹, 伊藤國雄, 山本伸一 UVSORシンポジウム2013, P10, 岡崎市,  (2013.12)
紫外・真空紫外分光エリプソメトリーの開発 久保賢洋, 福井 一俊, 山本 晃司, 齋藤輝文, 堀米利夫 UVSORシンポジウム2013, P14, 岡崎市,  (2013.12)
⾼濃度ボロンドープダイヤモンド薄膜のCEES 測定 近藤駿介, 福井 一俊, 山本 晃司, 犬島 喬 UVSORシンポジウム2013, P45, 岡崎市,  (2013.12)
Status and Perspective of GaN-based Technology in Japan M. Kuzuhara, H. Tokuda CS MANTECH, 3-3, USA, Boston, 39-42 (2012.05)
Breakdown characteristics in AlGaN/GaN HEMTs with multi-field-plate structure T. Asano, N. Yamada, T. Saito, H. Tokuda, M. Kuzuhara IMFEDK 2012, PB-01, Osaka, Japan, 100-101 (2012.05)
Effects of ohmic metal thickness on drain current capability of AlGaN/GaN HEMTs M. Ogasawara, S. Kodama, H. Tokuda, M. Kuzuhara IMFEDK 2012, PB-02, Osaka, Japan, 102-103 (2012.05)
Analysis of electron transport in AlGaN based on empirical pseudopotential method Y. Kamiya, K. Kodama, T. Kimizu, H. Tokuda, M. Kuzuhara IMFEDK 2012, PB-3, Osaka, Japan, 104-105 (2012.05)
Improved effective channel electron velocity in AlGaN/GaN HEMTs with sub-100 nm gate-to-drain distance K. Kodama, Y. Naito, H. Tokuda, M .Kuzuhara Intl. Conf. on Solid State Devices and Materials, Kyoto, Japan,  (2012.09)
Influence of annealing on DC performance for AlGaN/GaN MIS HEMTs M. Hatano, Y. Taniguchi, H. Tokuda, M. Kuzuhara IWN, ThP-ED-7, 北海道、札幌, 485 (2012.10)
AlGaN/GaN Heterojunction FETs for High-Breakdown and Low-Leakage Operation M. Kuzuhara, H. Tokuda 222nd ECS Meeting The Electrochemical Soosiety, 2532, Honolulu, USA, Meeting program 222nd ECS, 123 (2012.10)
GaN-based electronics M. Kuzuhara ASDAM, 1-1, Slovakia, 1-6 (2012.11)
Photo-Luminescence of Carbon Nitride Films for Application to White Light emitting Device M.Satake, J.Sawahata, K.Itoh, K.Takarabe, K.Fukui, S.Yamamoto 19th International Display Workshops in conjunction with Asia Display 2012, PHp-21L, 京都市,  (2012.12)
Power System Stability and Control under Penetration of Renewable Energy Resources - Focusing Special Protection System - 田岡 久雄 The 1st International Symposium on Green Energy Policy Innovation, Keynote, Gyeongsang National University, Korea,  (2012.12)
〔著 書〕 2件
題      目 著  者 出版社(発行年月)
2013化合物半導体技術大全CD-ROM版 塩島 謙次 株式会社電子ジャーナル (2013.01)
電力システム工学 田岡 久雄, 石亀 篤司, 宮内 肇, 木村 紀之, 杉原 英治, 伊与田 功 オーム社 (2013.12)
〔特 許〕 2件
題      目 発 明 者 特許番号(登録年月)
窒化物半導体装置のショットキー電極及びその製造方法 葛原 正明, 宮本 広信, 中山 達峰, 安藤 裕二, 岡本 康宏, 井上 隆, 幡谷 耕二 特許5084262(2012.04.20)
半導体装置 葛原 正明, 中山 達峰, 宮本 広信, 安藤 裕二, 岡本 康宏, 井上 隆, 幡谷 耕二 特許5084262(2012.09.14)
〔資料・解説等〕 5件
題      目 著  者 掲載誌,巻,号,頁(発表年月)
応用物理学会の国際化に向けて (前編) Oliver Wright, 塩島 謙次, 野田 進, 河田 聡 応用物理, 82, 2, 93-99 (2013.02)
応用物理学会の国際化に向けて (後編) Oliver Wright, 塩島 謙次, 野田 進, 河田 聡 応用物理, 82, 3,  (2013.02)
レーザーダイオード励起Yb:YAGレーザーの高効率化 下條 直哉, 木村 大介, 西尾 正敏, 丸小 淳幸, 奥西 弘旭, 加唐 賢人, 京元 敬介, 吉田 武志, 川戸 栄 電子情報通信学会技術研究報告書「レーザ量子・エレクトロニクス」,  (2013.05)
メイド・イン・ジャパンの騎手たち 塩島 謙次 応用物理, 82, 10, 821-825 (2013.10)
GaN系高効率電子デバイスの開発動向 葛原 正明 応用物理, 81, 464-470 (2012.06)
〔学会等の開催〕 5件
名      称 担 当 者 開催地(年月)
応用物理学会学術講演会シンポジウム 塩島 謙次, 中村成志 厚木市(神奈川工科大学) (2013.03)
6th International Symposium on  Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VI 塩島 謙次 福岡市 (2013.06)
3rd International Conference of Mechanical Engineering and Material Engineering 牧野 哲征 Changsha, People's Republic of China (2013.07)
CIGRE SC-C6 Colloquium 2013 田岡 久雄 横浜市 (2013.10)
 Annual International Conference on Intelligent Materials, Power and Energy 牧野 哲征 Kuala Lumpur, Malaysia (2013.12)